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1、
接下来研究了栅极结构参数，包括埋栅深度、栅极水平位置、栅极形状、栅场板结构以及栅长等对器件特性的影响。
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2、
RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1，峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长，阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元（MOBILE）。
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3、
the gate length may be larger than the minimum specified by semiconductor fabrication design rules.
栅极长度可以比半导体制造设计规则所指定的最小值大。
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4、
栅极长度变化对有机静电感应晶体管工作特性影响解析
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5、
6、
source and drain regions in the semiconductor may define a transistor gate length.
在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。
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7、
如图所示，通常不管浇口的长度如何，流道实际都延伸出型腔的端部。
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8、
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